特許
J-GLOBAL ID：200903037713595477
非破壊解析方法及び非破壊解析装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳丸 達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-369087
公開番号（公開出願番号）：特開2005-134196
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 LSIなどの半導体デバイスやベアSiウェハを検査・解析する走査レーザSQUID顕微鏡法において、磁気強度像を取得するだけでは十分な感度が得られない場合があった。【解決手段】 基準信号1に同期した変調信号2により強度変調された変調ビーム61を生成する変調ビーム生成手段10と、サンプル70を移動させる試料台71と、変調ビーム61を照射したときに生成される電流により誘起される磁気63を検出し磁場信号4を出力する磁気検出手段20と、強度信号5及び位相差信号7を出力する信号抽出手段30と、システム制御手段40と、表示手段50とを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の基準信号に同期した変調信号に基づいて、強度変調された変調光を生成し、収束して、変調ビームを生成する第1ステップと、
被解析対象の所定の被照射位置に前記変調ビームを照射したときに生成される電流により誘起される磁気を検出して磁場信号を出力する第2ステップと、
前記磁場信号及び前記基準信号に基づいて、前記磁気の強度及び前記基準信号と前記磁場信号との位相差を抽出し、それぞれ強度信号と及び位相差信号として出力する第3ステップと、
前記第3ステップで抽出した少なくとも前記位相差信号を前記被照射位置の情報と対応させて出力する第4ステップと、
を有することを特徴とする非破壊解析方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
2G053AA11
, 2G053AA30
, 2G053BB05
, 2G053BB15
, 2G053CA10
, 2G053CA18
, 2G053CB14
, 2G053CB16
, 2G053CB25
, 2G053CB29
, 2G053DB11
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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引用文献：
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