特許
J-GLOBAL ID：200903066764865347
窒化物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-118085
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294528
出願日： 2006年04月21日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】ノーマリーオフ特性および低オン抵抗を有する窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】アンドープの窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが広く、アンドープもしくはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層に選択的に形成されたp型領域と、前記p型領域の上に設けられたゲート絶縁膜と、前記p型領域の周囲の前記第2の半導体層の上に設けられたフィールド絶縁膜と、前記p型領域を挟んで第2の半導体層にそれぞれ接続された第1及び第2の主電極と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられ、少なくともその一部が前記フィールド絶縁膜の上まで延在してなる制御電極と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アンドープの窒化物半導体からなる第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが広く、アンドープもしくはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、
前記第2の半導体層に選択的に形成されたp型領域と、
前記p型領域の上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記p型領域の周囲の前記第2の半導体層の上に設けられたフィールド絶縁膜と、
前記p型領域を挟んで第2の半導体層にそれぞれ接続された第1及び第2の主電極と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられ、少なくともその一部が前記フィールド絶縁膜の上まで延在してなる制御電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 29/06
H01L29/80 H
, H01L29/06 301F
5F102FA02
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GD10
, 5F102GL04
, 5F102GL14
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GR07
, 5F102GR08
, 5F102GV08
, 5F102HC01
