特許
J-GLOBAL ID：200903073628370373
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015878
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210657
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 高温環境での動作特性に優れたGaN系の電界効果トランジスタ、更にはインバータ回路を実現するに好適な半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 GaN層20上にヘテロ接合させてAlNまたはAlGaN層30を形成した後、ゲート電極40の形成に先立ってGaN層に形成するチャネル領域に所定量の不純物原子をイオン注入する。しかる後、イオン注入したチャネル領域の上部のAlNまたはAlGaN層上にゲート電極を形成し、更にチャネル領域の両側に位置付けてソース領域Sおよびドレイン領域Dをそれぞれ形成する。特に隣接して設けるFETの一方のチャネル領域にだけ、予め高濃度のキャリアをイオン注入することで、デプレッション型のFETとエンハンスメント型のFETとを同時に製作する。
請求項（抜粋）：
GaN層上にヘテロ接合したAlNまたはAlGaN層を介してMIS構造のゲートを形成してなる半導体装置であって、前記ゲートの直下のチャネル領域は、イオン注入によりキャリア濃度が調整された領域からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/265 604
H01L 21/265 604 Z
, H01L 29/80 B
5F102GA02
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GQ01
, 5F102HC07
