特許

J-GLOBAL ID：200903066802787177

チップ型半導体装置

発明者： 池上 五郎
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051403
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252318
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 小型化が要求される半導体装置でリードフレームを用いたものではリードフレームの切断時に樹脂がクラックし耐湿性が劣るという問題があった。【解決手段】 導電ランド8を形成した絶縁基材7上に導電ポスト10と半導体ペレット11とをマウントし、樹脂12にて導電ポスト10と半導体ペレット11上の電極が露呈するように絶縁基材7上を被覆する。

請求項（抜粋）：

電気的に接続された第1、第2の導電ランド領域を有する絶縁基材の、前記第1の導電ランド領域に導電ポストを形成し、両面に電極を有する半導体ペレットを第2の導電領域にマウントし、前記絶縁基材上の導電ポストと半導体ペレットを含む主要領域を樹脂にて被覆し、樹脂外表面に導電ポストと半導体ペレットの電極にそれぞれ電気的に接続される外部電極を露呈させたことを特徴とするチップ型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/48 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 23/48 F ,  H01L 21/56 R

Fターム (4件)：

5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• マルチチップモジュールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021227   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-039987   出願人：日本電気株式会社
• 表面実装型の半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-064599   出願人：オリジン電気株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-327967   出願人：三洋電機株式会社