特許

J-GLOBAL ID：200903066868484906

半導体装置作製方法

発明者： 大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  張 宏勇 ,  山口 直明 ,  鈴木 敦則
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317554
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138167
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 高い特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】 基板上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に接して非晶質の珪素膜を形成する工程と、前記珪素膜に結晶化を助長する物質を接する工程と、前記接する工程の後に前記珪素膜を加熱する工程と、を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に接して非晶質の珪素膜を形成する工程と、前記珪素膜に結晶化を助長する物質を接する工程と、前記接する工程の後に前記珪素膜を加熱する工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開平2-260524
  
• 特開平3-280420
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-229120   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平2-140915
  
• 特開昭63-060518
  
• 特開平1-103825
  
• 特開平2-228043
  
• 半導体作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-294633   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-166117   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所