半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-255729
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097715
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は、漏れ電流を低減でき、トレンチ構造のときに、容易な集積化を図る。【解決手段】高抵抗の第1導電型ベース層2と、第1導電型ベース層の一方の表面上に形成された第1導電型エミッタ層1と、第1導電型ベース層の他方の表面上に形成された第2導電型エミッタ層3と、第2導電型エミッタ層表面に選択的に形成され、当該第2導電型エミッタ層を貫通して第1導電型ベース層の途中まで到達する深さを有する複数の溝21と、各溝内に絶縁膜22を介して埋込み形成された充填層23と、第1導電型エミッタ層に形成された第1の主電極6と、第2導電型エミッタ層に形成された第2の主電極5とを備えた半導体装置。

請求項（抜粋）：

高抵抗の第1導電型ベース層と、前記第1導電型ベース層の一方の表面に形成された第1導電型エミッタ層と、前記第1導電型ベース層の他方の表面に形成された第2導電型エミッタ層と、前記第2導電型エミッタ層を貫通して前記第1導電型ベース層の途中まで到達する深さに形成された複数の溝と、前記第1導電型エミッタ層に形成された第1の主電極と、前記第2導電型エミッタ層に形成された第2の主電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/861 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/91 C , H01L 27/04 H , H01L 29/78 655 D

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭63-155768
絶縁ゲート型サイリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-213226 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-212394 出願人：株式会社三社電機製作所

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