電極配線構造の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-254936
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106972
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】窒化チタンをバリアメタルとして使用し、その上にAl合金層を形成する場合、バリアメタルのバリア性を向上させ、しかもAl合金層の埋め込み性を良好にしてステップカバレッジを向上させる。【解決手段】シリコン基板10上に、層間絶縁膜11を形成し、コンタクトホール12を形成する(図1(a))。この後、チタン層13、第1窒化チタン層19、第2窒化チタン層14、Al合金層15を真空中で連続的にスパッタ成膜する(図1(b))。続いて、Al合金層15のリフロー処理を行う(図1(c))。このリフロー熱処理中に、窒化チタン層14とAl合金層15の間にチタンとアルミニウムの金属間化合物である歪み緩和層17が形成される。この後、反射防止膜としてのチタン層20、窒化チタン層21を形成し、パターニングを行った後、保護膜16を形成する(図1(d)、(e))。

請求項（抜粋）：

半導体基板(10)上に、コンタクトホール(12)を有する層間絶縁膜(11)を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に、アロイスパイク防止用の第1窒化チタン層(19)と、この第1窒化チタン層の上に第2窒化チタン層(14)を成膜し、さらにこの第2窒化チタン層の上にアルミニウム合金配線層(15)を成膜する工程と、前記第1窒化チタン層、前記第2窒化チタン層および前記アルミニウム合金配線層をパターニングする工程とを有してなる電極配線構造の製造方法において、前記パターニング工程の前に、前記アルミニウム合金配線層をリフローする工程を備え、前記第1窒化チタン層、前記第2窒化チタン層および前記アルミニウム合金配線層の成膜、および前記アルミニウム合金配線層のリフローを、真空中で連続して行うことを特徴とする電極配線構造の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 N , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-294027 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-030667 出願人：日本電気株式会社
電極配線およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105708 出願人：日本電装株式会社

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