特許
J-GLOBAL ID：200903066947011886
光検出器がモノリシック集積された電界吸収型光変調モジュール及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
岸田 正行
, 水野 勝文
, 小川 英宣
, 川上 成年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-357583
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183955
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】光検出器と分布帰還レーザの光軸整列の容易化、周辺環境の影響による光検出器の誤作動の防止、光検出器と分布帰還レーザとの電気的絶縁性確保の容易化が図られた、光検出器がモノリシック集積された電界吸収型光変調モジュールを提供する。【解決手段】 レーザによる光を発振するための格子212を有し、発振された光を第1及び第2の端子を通じて出力するための分布帰還レーザ210と、分布帰還レーザの第1の端子を通じて出力された第1の光を変調させるための電界吸収変調器220と、半導体基板201上に分布帰還レーザの第2の端子に対向するように形成されることにより、第2の端子を通じて出力された第2の光を検出するための光検出器250と、分布帰還レーザと光検出器との間に設けられることにより、第2の光の強度を減衰させ、分布帰還レーザ及び光検出器を電気的に絶縁させるための第1のインナーウィンドウ260aと、を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に単一集積された電界吸収型光変調モジュールであって、
レーザによる光を発振するための格子を有し、発振された光を前記モジュールの第1及び第2の端子を通じて出力するための分布帰還レーザと、
前記分布帰還レーザの第1の端子を通じて出力される第1の光を変調させるための電界吸収変調器と、
前記半導体基板上に前記分布帰還レーザの第2の端子に対向するように形成されることにより、前記第2の端子を通じて出力された第2の光を検出するための光検出器と、
前記分布帰還レーザと前記光検出器との間に配置されることにより、前記第2の光の強度を減衰させ、前記分布帰還レーザ及び光検出器を電気的に絶縁させるための第1のインナーウィンドウと、
を含むことを特徴とする光検出器がモノリシック集積された電界吸収型光変調モジュール。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01S5/026 612
, H01S5/026 616
, H01S5/026 618
, G02F1/017 503
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079KA18
, 2H079KA19
, 5F173AD11
, 5F173AD13
, 5F173AD16
, 5F173AD18
, 5F173AL03
, 5F173AL12
, 5F173AR61
審査官引用 (5件)
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特開昭63-311786
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半導体光集積素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-034235
出願人：住友電気工業株式会社
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特開平1-186693
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