特許
J-GLOBAL ID：200903092085585972
半導体光集積素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034235
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234533
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 窓部内の迷光に起因する光強度の低下および光ファイバとの光学的結合効率の低下を防止できる半導体光集積素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 光放出部40において、窓部44および第2クラッド層16の側面と、第2クラッド層16の上面とに光吸収層41が設けられている。光吸収層41は、発光デバイス部10の活性層13からの光の波長よりもフォトルミネセンス波長が長い半導体を含む。そのため、窓部44を放射状に広がって進む光L1は、光吸収層41に至ると、光吸収層層41により吸収される。また、窓部44と反射防止膜45との界面で反射された光L2もまた光吸収層41に至ることができ、光吸収層41により吸収される。よって、光L1は窓部44に留まることはなく、そのため、窓部44内の迷光が低減される。
請求項（抜粋）：
光を発する半導体発光素子部と、前記光が入射する第1の面と、該入射光が出射する第2の面と、前記第1および前記第2の面の間に設けられた半導体部とを有する窓部と、前記窓部上に設けられ、前記光の波長よりもフォトルミネセンス光の波長が長い第1の半導体を含む光吸収層と、を備える半導体光集積素子。
IPC (2件)：
H01S 5/026 616
, H01S 5/50 630
H01S 5/026 616
, H01S 5/50 630
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA89
, 5F073AB12
, 5F073AB21
, 5F073CA12
, 5F073DA05
, 5F073EA29
