特許

J-GLOBAL ID：200903066983972116

二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子

発明者： ステファノビッチ・ゲンリク ,  趙 重來 ,  柳 寅▲キョン▼ ,  李 殷洪 ,  趙 成逸 ,  文 昌郁
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-045884
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235139
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された形成された第1酸化層と、第1酸化層上に形成された第2酸化層と、第2酸化層上に形成された上部電極と、を備える二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、 下部電極と、 前記下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された第1酸化層と、 前記第1酸化層上に形成された第2酸化層と、 前記第2酸化層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083LA02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130645   出願人：三星電子株式会社
• PCMO薄膜の形成方法及びPCMO薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130841   出願人：シャープ株式会社
• 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-355896   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130645   出願人：三星電子株式会社
• PCMO薄膜の形成方法及びPCMO薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130841   出願人：シャープ株式会社
• 特願2007-526795
  出願番号：特願2007-526795  
• 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-355896   出願人：ソニー株式会社