特許

J-GLOBAL ID：200903066992039791

多結晶性半導体薄膜及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置

発明者： 山中 英雄 ,  矢元 久良
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-041850
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246311
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 高結晶化率で高品質の多結晶性シリコン等の多結晶性半導体薄膜を容易かつ低コストに、しかも大面積に形成可能な方法と、この方法を実施する装置を提供すること。【解決手段】 基体1上に高結晶化率、大粒径の多結晶性シリコン膜等の多結晶性半導体薄膜7を形成するに際し、或いは基体1上に多結晶性半導体薄膜7を有する半導体装置を製造するに際し、基体1上に触媒CVD法等によりアモルファス又は微結晶カーボン薄膜100Aを形成し、水素又は水素含有ガスを加熱された触媒体46に接触させ、これによって生成した水素系活性種をカーボン薄膜100Aに作用させて(触媒AHA処理で)そのアモルファス成分をエッチングし、ダイヤモンド構造のカーボン超微粒子層100Bを形成し、これをシードに触媒CVD法等により多結晶性半導体薄膜を成長させる気相成長工程(更に触媒AHA処理と触媒CVD等とを繰り返すこと)によって多結晶性半導体薄膜7を得る、多結晶性半導体薄膜の形成方法、又は半導体装置の製造方法、及びこれらを実施するための装置。

請求項（抜粋）：

基体上に多結晶性半導体薄膜を形成するに際し、前記基体上にアモルファスカーボン又は微結晶カーボン又はこれらの混合物からなるカーボン薄膜を形成する工程と、水素又は水素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した水素系活性種を前記カーボン薄膜に作用させてアニールを行い、ダイヤモンド構造のカーボン超微粒子を形成する工程と、このカーボン超微粒子上に半導体材料薄膜を気相成長させる工程とを経て前記多結晶性半導体薄膜を得る、多結晶性半導体薄膜の形成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/44 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (9件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/44 A ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 31/04 X

Fターム (173件)：

2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092NA07 ,  2H092NA26 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092PA13 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BA30 ,  4K030BB04 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA12 ,  5C094BA23 ,  5C094BA27 ,  5C094BA32 ,  5C094BA34 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB07 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB35 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045CA09 ,  5F045CA15 ,  5F045DP05 ,  5F045EK09 ,  5F045HA06 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA11 ,  5F051CA14 ,  5F051CA32 ,  5F051CB12 ,  5F051GA02 ,  5F052AA06 ,  5F052AA11 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA19 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP36 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 多結晶シリコン薄膜およびその形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-309355   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 気相加工方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-100804   出願人：ソニー株式会社
• 非晶質半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-236402   出願人：日本電装株式会社
• 多結晶シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-069641   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-032019