半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288566
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134976
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】高密度実装が容易なLGAタイプのものにおいて、半導体装置を外部装置に実装した場合に熱膨張差によって発生する熱応力を十分に緩和でき、熱衝撃試験においても外部装置との電気的接続を安定に確保することができる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】表面に配線電極14を有しこの配線電極14に電気的に接続された格子状の電極17を裏面に有するキャリア基板12と、配線電極14に搭載された半導体素子11と、格子状の電極17にそれぞれ設けられた外部装置接続用のワイヤ18とを備えている。

請求項（抜粋）：

表面に配線電極を有しこの配線電極に電気的に接続された格子状の電極を裏面に有するキャリア基板と、前記配線電極に搭載された半導体素子と、前記キャリア基板の前記格子状の電極にそれぞれ設けられた外部装置接続用のワイヤとを備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311 , H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 23/12 L , H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 602 G , H01L 21/92 604 G

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-165661
中間基材のボンディング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-013801 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-264758

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