表示装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-088233
公開番号（公開出願番号）：特開2005-274984
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】製造工数の低減を図った表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の上面に半導体層を形成し、前記半導体層の上面に絶縁膜を形成し、第1領域を被い第2領域を露出させたマスクを用いて、前記第2領域の前記半導体層に前記絶縁膜を通して不純物の打ち込みを行い、前記マスクを除去した後に、前記第1領域及び前記第2領域の前記絶縁膜の表面を前記第2領域の前記絶縁膜が残存する程度にエッチングすることにより、前記第2領域の絶縁膜の膜厚を前記第1領域の絶縁膜の膜厚よりも薄くすることを特徴とする表示装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上面に半導体層を形成し、前記半導体層の上面に絶縁膜を形成し、第1領域を被い第2領域を露出させたマスクを用いて、前記第2領域の前記半導体層に前記絶縁膜を通して不純物の打ち込みを行い、前記マスクを除去した後に、前記第1領域及び前記第2領域の前記絶縁膜の表面を前記第2領域の前記絶縁膜が残存する程度にエッチングすることにより、前記第2領域の絶縁膜の膜厚を前記第1領域の絶縁膜の膜厚よりも薄くすることを特徴とする表示装置の製造方法。

IPC (6件)：

G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (6件)：

G09F9/30 338 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/78 612Z , H01L29/78 612C

Fターム (74件)：

2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA35 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092JB63 , 2H092JB64 , 2H092JB65 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092KA11 , 2H092KA21 , 2H092KB01 , 2H092KB11 , 2H092KB12 , 2H092KB21 , 2H092KB24 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA25 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA11 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 5C094AA31 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052JA01 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-324443 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (5件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-215502 出願人：ソニー株式会社
平面表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-302539 出願人：株式会社東芝
特開平3-280018

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