ゲート構造及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-278818
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188275
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】本発明は、バッファ層のないSiGe及びSi面に対する金属シリケートまたはシリケート-ゲルマネート(silicate-germanate)誘電体による集積回路の製造を提供する。【解決手段】 (a)MXGeWSiZO4ゲート誘電体を有するMOSデバイス、ただしMは、Hf、Zr、及びその混合物からなるグループから選択され、及び(b)前記デバイス間の相互接続を有する集積回路である。又、その製造方法は(i)基板に第1のシリコン表面領域及び第2のシリコン-ゲルマニウム表面領域を設けるステップ、(ii)前記第1の表面領域と第2の表面領域上に金属シリケートのゲート誘電体の層を形成するステップ、及び(iii)前記ゲート誘電体の層上にゲートを形成するステップを有する。これにより、簡単な処理でCMOS集積回路の向上した性能(リークが少なく、誘電率が高い)を有する利点がある。

請求項（抜粋）：

集積回路であって、(a)MXGeWSiZO4ゲート誘電体を有するMOSデバイス、ただしMは、Hf、Zr、及びその混合物からなるグループから選択され、及び(b)前記デバイス間の相互接続、を有する集積回路。

IPC (11件)：

H01L 21/8238 , H01L 21/283 , H01L 21/316 , H01L 21/331 , H01L 21/8222 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 27/092 , H01L 29/737 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (10件)：

H01L 21/283 C , H01L 21/316 X , H01L 27/08 321 D , H01L 27/06 321 A , H01L 27/06 101 U , H01L 29/72 H , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 617 T

Fターム (130件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104CC05 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG10 , 5F003BB04 , 5F003BF06 , 5F003BJ15 , 5F003BM01 , 5F003BM07 , 5F003BP46 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048AC05 , 5F048BA14 , 5F048BB04 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BD01 , 5F048BD09 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048CA03 , 5F048CA07 , 5F048DA27 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BF12 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF40 , 5F058BJ01 , 5F082AA08 , 5F082BA26 , 5F082BA35 , 5F082BC01 , 5F082BC09 , 5F082CA01 , 5F082EA32 , 5F110AA06 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF28 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG28 , 5F110GG44 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL08 , 5F110HM15 , 5F110NN22 , 5F110NN62 , 5F110NN78 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AB07 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB18 , 5F140BC13 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF34 , 5F140BF42 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG45 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ14 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC07 , 5F140CC20 , 5F140CE06 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-023797 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-042729 出願人：株式会社東芝
高誘電率シリケート・ゲート誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242453 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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