半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012758
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214445
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】小型化、高密度化を実現し、高耐久性、高信頼性を有するチップサイズパッケージ形態の半導体装置を提供する。【解決手段】ガラスエポキシ系材料からなる実装基板にはんだ付けにより接続されるパッケージ化された半導体装置であって、パッド部分にバンプ4が形成された半導体チップ1と、バンプ4を機械的に支持し、バンプ4と電気的に接続する導電体が形成された貫通孔7を有するインターポーザー2と、半導体チップ1とインターポーザー2の間に埋め込まれた封止樹脂3とを有する構成とし、インターポーザー2について、封止樹脂3の硬化温度よりも高いガラス転移温度を有する有機材料により形成されている、線膨張係数が実装基板と半導体チップ1の線膨張係数のほぼ中間の値を有する、および/または、400MPa以上の曲げ強度を有する材料により形成されているものとする。

請求項（抜粋）：

ガラスエポキシ系材料からなる実装基板にはんだ付けにより接続されるパッケージ化された半導体装置であって、パッド部分にバンプが形成された半導体チップと、前記バンプを機械的に支持し、前記バンプと電気的に接続する導電体が形成された貫通孔を有するインターポーザーと、前記半導体チップと前記インターポーザーの間に埋め込まれた封止樹脂とを有し、前記インターポーザーが前記封止樹脂の硬化温度よりも高いガラス転移温度を有する有機材料により形成されている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/28 Z , H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-176319 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-181832 出願人：株式会社ピーエフユー
セラミックス回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-335315 出願人：株式会社東芝

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