特許

J-GLOBAL ID：200903067139328135

シリコン含有レジスト組成物およびその使用

発明者： リン・チン=ファン ,  アハマド・ディー・カトナーニー ,  ダグラス・チャールズ・ラ=チューリップ・ジュニア ,  デービッド・イー・ゼーガー ,  ウィリアム・ロス・ブルンスフォルド ,  アリ・アフザーリ=アルダカーニー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-023822
公開番号（公開出願番号）：特開2000-221687
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 高性能放射感応性シリコン含有ネガ型レジスト、および半導体デバイス製作のため多層結像にこのシリコン含有レジストを使用する方法を提供する。【解決手段】 シリコン含有ポリマー樹脂と、架橋剤と、酸発生剤と、溶媒とを含む、シリコン含有量の高いネガ型レジスト組成物が提供される。このレジスト組成物は、水性塩基可溶性のシリコンポリマーが、そのフェノール基の水酸基のところで、架橋剤のカルボカチオンとO-アルキル化反応する。酸触媒の存在下での高コントラストな架橋によって、優れた解像度と高アスペクト比のパターニングを実現する。このレジスト組成物は、中紫外(UV)、深紫外、極紫外、X線、電子線、イオン・ビーム照射など様々な照射源を使って半導体デバイスを製作するための、2層を含めた多層方式において上部結像層として使用できる。

請求項（抜粋）：

シリコン含有ネガ型レジスト組成物であって、(a)フェノール基を有する水性塩基可溶性シリコン含有ポリマーと、(b)前記シリコン含有ポリマーを前記フェノール基の水酸基のところで架橋させることのできる架橋剤と、(c)酸発生剤と、(d)溶媒とを含むシリコン含有ネガ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074986   出願人：株式会社日立製作所
• 化学増幅型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-034836   出願人：住友化学工業株式会社
• 高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227633   出願人：信越化学工業株式会社