特許
J-GLOBAL ID：200903067222372952
半導体センシング用電界効果型トランジスタ及びこれを用いた半導体センシングデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-338480
公開番号（公開出願番号）：特開2009-156827
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【解決手段】シリコン上にゲート絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記ゲート絶縁層上に、有機シラン単分子膜を介してAu層を積層してなる半導体センシング用電界効果型トランジスタ及び半導体センシングデバイス。【効果】本発明によれば、分子レベルの有効なセンシング、更には、センサ分子と被検出物質とを適宜選択することにより、生体分子などの分析において有用な鏡像異性体(キラル分子)の選択的検出を可能とする半導体センシングデバイスを提供することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン上にゲート絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記ゲート絶縁層上に、有機シラン単分子膜を介してAu層を積層してなることを特徴とする半導体センシング用電界効果型トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (4件)：
G01N27/30 301K
, G01N27/30 301Y
, G01N27/30 301V
, G01N27/30 301U
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
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特開昭63-088438
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FET型のバイオセンサー
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-013053
出願人：三星電子株式会社
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特開昭63-088438
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引用文献：
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