特許
J-GLOBAL ID：200903009088518198
半導体センサチップ及び半導体センシング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-329172
公開番号（公開出願番号）：特開2006-138761
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【解決手段】 ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップと、ソース電極と接続されたソース電極端子配線と、ドレイン電極と接続されたドレイン電極端子配線とを備え、電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線が、電界効果型トランジスタチップのゲート絶縁層、ソース電極端子配線のソース電極と接続されていない端部及びドレイン電極端子配線のドレイン電極と接続されていない端部が露呈するように封止材により、又は基体と封止材とにより封止されている半導体センサチップ、及びこれを備える半導体センシング装置。【効果】 センサ部分と計測器部分とを簡単に分離でき、センサ部分のディスポーザルを可能にする。また、液体分析に対する十分な防水性、防液性を備える実用性に優れた半導体センサチップ及び半導体センシング装置を提供することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップと、上記ソース電極と接続されたソース電極端子配線と、上記ドレイン電極と接続されたドレイン電極端子配線とを備える半導体センサチップであって、
上記電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線が、上記電界効果型トランジスタチップのゲート絶縁層、上記ソース電極端子配線のソース電極と接続されていない端部及び上記ドレイン電極端子配線のドレイン電極と接続されていない端部が露呈するように封止材により、又は上記電界効果型トランジスタチップ、ソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線が設置される基体と封止材とにより封止されていることを特徴とする半導体センサチップ。
IPC (2件)：
FI (6件)：
G01N27/30 301U
, G01N37/00 101
, G01N27/30 301K
, G01N27/30 301L
, G01N27/30 301M
, G01N27/30 301N
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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