特許

J-GLOBAL ID：200903067331611738

半導体装置とその製造方法

発明者： 杉本 雅裕 ,  加地 徹 ,  上杉 勉 ,  上田 博之 ,  副島 成雅
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-086553
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005764
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】 III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるp型の不純物(典型的にはマグネシウム)が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。【解決手段】 本発明の半導体装置10は、p型の不純物であるマグネシウムを含む窒化ガリウム(GaN)の第1半導体領域28と、窒化ガリウムの第2半導体領域34と、第1半導体領域28と第2半導体領域34の間に介在している酸化シリコン(SiO2)の不純物拡散抑制膜32を備えていることを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1半導体領域、不純物拡散抑制膜、第2半導体領域、ゲート電極が順に形成されている構造を備えており、 第1半導体領域は、p型の不純物を含むIII-V族化合物半導体で形成されており、 第2半導体領域は、n型の不純物を含むIII-V族化合物半導体で形成されており、 不純物拡散抑制膜は、第1半導体領域のp型不純物が第2半導体領域に拡散するのを抑制することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 622

Fターム (14件)：

5F110AA30 ,  5F110BB13 ,  5F110CC10 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HM12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III族窒化物半導体を有する半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-003368   出願人：株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びHEMT用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-158143   出願人：住友電気工業株式会社, インスティテュートオブマテリアルズリサーチアンドエンジニアリング
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092017   出願人：豊田合成株式会社
• III族窒化物発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-222848   出願人：三菱電線工業株式会社
• III族窒化物半導体を有する半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-003368   出願人：株式会社豊田中央研究所