III族窒化物発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高島一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-222848
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129926
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物発光素子中でのドーパントの拡散を抑制し、素子の性能低下を防ぐこと。【解決手段】ダブルヘテロ構造の窒化ガリウムなどのIII族窒化物の発光素子において、p型クラッド層と活性層との間に拡散抑制層を設けることを特徴とする。【効果】高輝度で長寿命の発光素子が得られる。

請求項（抜粋）：

ダブルヘテロ構造のIII族窒化物発光素子において、p型クラッド層と活性層との間に拡散抑制層を有することを特徴とするIII族窒化物発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

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