特許
J-GLOBAL ID：200903067348287489

強誘電体薄膜素子の製造方法及び加熱処理装置

発明者：
村井 正己

村井 正己 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-173609
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203404
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 優れた結晶性を有し、膜厚方向に均一に結晶配向した強誘電体薄膜素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を下部電極上に形成する工程と、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜を成膜する工程とを備え、前記熱処理の際に、前記下部電極側から加熱する。強誘電体薄膜の結晶化は下部電極に影響を受けて進行するとともに、下部電極側からの加熱によって結晶成長が下部電極側から始まって薄膜上部に至るので、結晶性が良好となる。
請求項（抜粋）：
強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を下部電極上に形成する工程と、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜を成膜する工程とを備え、前記熱処理の際に、前記下部電極側から加熱することを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 41/22 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (8件)：
H01L 41/22 Z ,  B41J 3/04 103 H ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/22 A
Fターム (17件)：
2C057AF93 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AP54 ,  2C057AP56 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  5F083FR02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083PR34
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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