特許

J-GLOBAL ID：200903067363773195

半導体集積回路

発明者： 永山 淳
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-273579
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091808
出願日： 2006年10月05日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】半導体集積回路において、マスクを作り直すことなく、必要に応じて静電気放電(ESD)の耐性を向上させること。【解決手段】コア回路5内に保護用セル(PC_1〜PC_7)が形成される。ESD耐性の必要度に応じて、各保護用セルと、ESDトリガ検出回路10の出力端子TR_OUTとを接続するための配線LSが配線層に形成される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

入出力端子と、 基準電位と1または複数の電源電位とに接続されて動作するセルベースの機能回路と、 前記入出力端子に対する静電気放電の印加を検出する静電気検出部と、 前記機能回路内において各電源電位に対応して設けられ、前記機能回路を静電気放電から保護するための複数の保護用セルであって、各保護用セルが前記基準電位と対応する電源電位との間に接続されるトランジスタを含む複数の保護用セルと、 を備え、 各保護用セルと前記静電気検出部とを接続し、前記静電気検出部による静電気放電の検出を受けて各保護用セルのトランジスタを導通させるための配線層が形成される 半導体集積回路。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/82

FI (4件)：

H01L27/04 H ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/08 321H ,  H01L21/82 B

Fターム (33件)：

5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH04 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038CA10 ,  5F038CD02 ,  5F038CD12 ,  5F038CD14 ,  5F038CD15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048CC06 ,  5F048CC09 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC19 ,  5F064AA04 ,  5F064BB05 ,  5F064BB06 ,  5F064BB07 ,  5F064BB35 ,  5F064CC09 ,  5F064CC12 ,  5F064CC21 ,  5F064CC22 ,  5F064CC23 ,  5F064DD26 ,  5F064EE52 ,  5F064FF01 ,  5F064FF48

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-035200   出願人：川崎製鉄株式会社

審査官引用 (2件)

• 静電放電(ESD)保護回路
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-574904   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 多電源半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-147806   出願人：松下電器産業株式会社