半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-192211
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045986
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】活性層へのキャリア閉じ込めを確実にしつつ、内部損失および電気抵抗を低く抑えて、高効率で高出力の半導体レーザ素子を提供する。【構成】半導体基板20上に、順次、第2n型クラッド層11、第1n型クラッド層12、n型キャリアブロック層13、活性層10、p型キャリアブロック層15、第1p型クラッド層16、第2p型クラッド層17、電流狭窄層18、p型コンタクト層19が形成される。活性層10は単一量子井戸を有し、下から順次、無ドーピングバリア層14、p型ドーピングバリア層15、無ドーピングバリア層16、量子井戸層17、無ドーピングバリア層18、p型ドーピングバリア層19、無ドーピングバリア層20がそれぞれ形成される。

請求項（抜粋）：

活性層の両側にn型およびp型クラッド層を設け、前記活性層に近接して前記活性層および前記両クラッド層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型キャリアブロック層およびp型キャリアブロック層をそれぞれ設けた半導体レーザ素子において、前記活性層は、量子井戸層および該量子井戸層の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を持つバリア層から成る単一または多重の量子井戸構造を有し、該バリア層は、炭素またはマグネシウムでドープされていることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

出願人引用 (18件)

AlGaInP系半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-220626 出願人：シヤープ株式会社
特開平4-180684
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-219679 出願人：シャープ株式会社

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審査官引用 (18件)

AlGaInP系半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-220626 出願人：シヤープ株式会社
特開平4-180684
特開平4-180684

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