特許
J-GLOBAL ID：200903067381354094
半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-223483
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168700
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器において、バンプ高さの均一性を向上させることを目的とする。【解決手段】 半導体ウエハ1は、半導体ウエハ1の側面13を少なくとも一部に含む第1の半導体チップ19と、第1の半導体チップ19に囲まれた領域に設けられて集積回路16及びこれに電気的に接続されるパッド20を有する第2の半導体チップ17と、第1の半導体チップ19の上方において少なくとも一部が柱状に形成されてなる第1のバンプ30と、パッド20の上方において少なくとも一部が柱状に形成されてなる第2のバンプ24と、を有する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップを含む半導体ウエハであって、前記半導体ウエハの側面を少なくとも一部に含む第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップに囲まれた領域に設けられ、少なくとも集積回路と、前記集積回路に電気的に接続されるパッドと、を有する第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップの上方において、少なくとも一部が柱状に形成されてなる第1のバンプと、前記パッドの上方において、少なくとも一部が柱状に形成されてなる第2のバンプと、を有する半導体ウエハ。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 23/12 501
H01L 23/12 501 B
, H01L 21/92 602 P
