半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233071
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139177
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【課題】埋め込み素子分離や不純物導入に起因する結晶欠陥を防止することを可能とする半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】溝を有する半導体基板と、この半導体基板の表面領域に形成された半導体素子とを具備し、前記溝の少なくとも一部には前記半導体基板と異なる熱膨脹係数を有する物質が埋め込まれており、前記溝から前記半導体基板に結晶欠陥が発生し、それによって前記半導体基板の表面領域の歪は充分に緩和され、前記表面領域の、前記半導体素子の回路動作に必要な領域には結晶欠陥が生じないことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

溝を有する半導体基板と、この半導体基板の表面領域に形成された半導体素子とを具備し、前記溝の少なくとも一部には前記半導体基板と異なる熱膨脹係数を有する物質が埋め込まれており、前記溝から前記半導体基板に結晶欠陥が発生し、それによって前記半導体基板の表面領域の歪は充分に緩和され、前記表面領域の、前記半導体素子の回路動作に必要な領域には結晶欠陥が生じないことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 27/08 331 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/76 L , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 681 D

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭61-180477
半導体装置及び基板上の凹部の埋め込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-078348 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-247527 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (1件)

特開昭61-180477

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