特許
J-GLOBAL ID：200903067467954841

化合物半導体装置の電極構造

発明者：
阪田 昌彦

阪田 昌彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196183
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 良好なボンディングパットを確保すると共に、パターン形成の際の安定したエッチングコントロールを得ることを課題とする。【解決手段】 p型又はn型化合物半導体とオーム性接触をなすAu系合金層、酸化及び/又は窒化されたMoバリア層、及びAuボンディングパット層とをこの順で形成してなることにより、上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
p型又はn型化合物半導体とオーム性接触をなすAu系合金層、酸化及び/又は窒化されたMoバリア層、及びAuボンディングパット層とをこの順で形成してなることを特徴とする化合物半導体装置の電極構造。
IPC (2件)：
H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 624 ,  H01L 33/00 E
Fターム (8件)：
5F041AA43 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA27
引用特許：
審査官引用 (7件)
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