特許
J-GLOBAL ID:200903067491524890

ポリイミドシロキサン絶縁膜用組成物、絶縁膜、および、絶縁膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-363187
公開番号(公開出願番号):特開2004-211064
出願日: 2003年10月23日
公開日(公表日): 2004年07月29日
要約:
【課題】 この発明は、基材に塗布後120°C程度以下の低温で加熱処理することによって硬化絶縁膜を得ることが可能であり且つその硬化膜は基材や封止材料との密着性が良好な、低温硬化性及び密着性が改良された絶縁膜用の溶液組成物であり、電気電子部品などの硬化絶縁膜を形成するための印刷インキ又は塗布用ワニスとして好適な溶液組成物を提供することを目的とする。【解決手段】 (a)有機溶剤可溶性のポリイミドシロキサン100重量部、(b)多価イソシアネート2〜40重量部、(c)エポキシ化合物0.1〜30重量部、及び、(d)有機溶剤を含有し、低温硬化性及び密着性が改良されたことを特徴とするポリイミドシロキサン絶縁膜用組成物、前記絶縁膜用組成物を加熱処理することによって形成される硬化絶縁膜、及び、硬化絶縁膜の形成方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(a)テトラカルボン酸成分と、一般式(1)で示されるジアミノポリシロキサン30〜95モル%、極性基を有する芳香族ジアミン0.5〜40モル%、及び、前記ジアミノポリシロキサン及び前記極性基を有する芳香族ジアミン以外のジアミン0〜69.5モル%からなるジアミン成分とから得られる有機溶媒可溶性のポリイミドシロキサン100重量部、
IPC (6件):
C08L79/08 ,  C08G18/65 ,  C08G73/10 ,  C08K3/00 ,  H01L21/312 ,  H05K3/28
FI (6件):
C08L79/08 Z ,  C08G18/65 C ,  C08G73/10 ,  C08K3/00 ,  H01L21/312 A ,  H05K3/28 C
Fターム (86件):
4J002CD002 ,  4J002CM041 ,  4J002ER006 ,  4J002FD018 ,  4J002FD207 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J034DK05 ,  4J034DK10 ,  4J034DL07 ,  4J034DM02 ,  4J034DM05 ,  4J034DM16 ,  4J034HA07 ,  4J034HC03 ,  4J034HC12 ,  4J034HC13 ,  4J034HC17 ,  4J034HC22 ,  4J034HC46 ,  4J034HC61 ,  4J034HC64 ,  4J034HC71 ,  4J034HD03 ,  4J034HD06 ,  4J034HD07 ,  4J034HD08 ,  4J034HD12 ,  4J034MA03 ,  4J034RA14 ,  4J043PA04 ,  4J043PA05 ,  4J043PA08 ,  4J043PC065 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043RA35 ,  4J043SA06 ,  4J043SA62 ,  4J043SA71 ,  4J043SA85 ,  4J043SB03 ,  4J043SB04 ,  4J043TA14 ,  4J043TA22 ,  4J043TB01 ,  4J043TB03 ,  4J043UA121 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UA141 ,  4J043UA142 ,  4J043UA262 ,  4J043UB011 ,  4J043UB022 ,  4J043UB061 ,  4J043UB062 ,  4J043UB121 ,  4J043UB122 ,  4J043UB152 ,  4J043UB301 ,  4J043UB302 ,  4J043YB02 ,  4J043YB29 ,  4J043YB33 ,  4J043ZA46 ,  4J043ZB47 ,  5E314AA36 ,  5E314AA42 ,  5E314BB02 ,  5E314BB11 ,  5E314BB13 ,  5E314CC01 ,  5E314FF06 ,  5E314GG04 ,  5E314GG11 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC04 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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