配線形成方法及び配線形成装置及び配線及び集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：溝井章司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155887
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349149
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】絶縁体に形成された孔(以下、接続孔という。)に導電性のある材料を充分に埋め込みボイドの発生を防ぐ配線形成方法を提供する。【解決手段】接続孔形成工程と洗浄工程を経ることにより形成された接続孔表面に表面処理工程S1で化学親和力を有する物質(活性点)を吸着させる。次に、電子供与性膜形成工程S2において、活性点を核に電子を供与する性質を有する物質を堆積させ膜を形成する。そして、埋め込み工程S3で配線材料を埋め込む。

請求項（抜粋）：

絶縁体に形成された孔の表面に対して化学親和力を与える表面処理をする表面処理工程と、上記表面処理された孔に対して配線材料の埋め込みをする埋め込み工程とを備えることを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , C23C 16/02 , H01L 21/28 , H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 21/90 A , C23C 16/02 , H01L 21/28 A , H01L 21/285 C

Fターム (43件)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030LA15 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD28 , 4M104DD45 , 4M104DD78 , 4M104FF22 , 4M104GG16 , 4M104HH13 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH31 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ31 , 5F033JJ33 , 5F033MM05 , 5F033NN06 , 5F033PP02 , 5F033PP11 , 5F033PP14 , 5F033PP26 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033VV16 , 5F033XX02

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマCVD方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011272 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-337496 出願人：三星電子株式会社
特開平3-278431

全件表示

前のページに戻る