特許
J-GLOBAL ID：200903045996512478

半導体装置の製造方法

発明者：
朴 炳律

朴 炳律 について

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金 亨燮

金 亨燮 について

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河 定▲旻▼

河 定▲旻▼ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337496
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186102
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 なめらかな表面を有するタングステン窒化薄膜を用いる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板31上にコンタクトホールを有する絶縁膜36を形成する段階と、基板31の全面にプラズマ処理を施す段階と、プラズマ処理された基板31の全面にタングステン窒化薄膜42を蒸着する段階とを備える。これにより、プラズマ処理により表面がなめらかなタングステン窒化薄膜42を形成することができ、前記タングステン窒化薄膜42上に形成される金属配線層44の段差塗布性を改善して信頼性のある半導体装置の製造が可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、結果物の全面にプラズマ処理を施す段階と、前記プラズマ処理された半導体基板の全面にタングステン窒化薄膜を蒸着する段階とを含めてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C
引用特許：
審査官引用 (23件)
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