基板処理方法及び基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-370903
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273009
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】基板周囲の環境を全体的に分析し、より精密な線幅制御及びレジスト膜厚制御を行うことができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。【解決手段】レジストパターンを形成する際に影響を及ぼす基板周囲の環境条件として例えば、装置内の温度や気圧、湿度あるいは装置内の搬送時間等のパラメータを抽出し、これら抽出された複数のパラメータのうち、所望のレジストパターンを形成するときの正常データ値のみを収集する(ステップ11)。これら正常データ値に対して主成分分析技術を用いて少なくとも2つの主成分を求める(ステップ12)ことにより正常領域を作成する(ステップ13)。この作成された正常領域を、実際に製品として基板上にレジストパターンを形成する際の指標として用いることにより、レジストパターンが正常であるか否かを容易に判断することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト膜を形成して露光処理及び現像処理を行うことにより、所望のレジストパターンを形成する基板処理方法において、前記レジストパターンを形成する際に関与する複数のパラメータを抽出し、これらパラメータのうち、前記所望のレジストパターンの形成に寄与する正常データ値を収集する工程と、前記正常データ値に基づき少なくとも2つの主成分を求め、所望のレジストパターンを形成する際の指標となる正常領域を作成する工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/30 501 , G03F 7/38 511

FI (6件)：

G03F 7/30 501 , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 562 , H01L 21/30 564 D , H01L 21/30 567 , H01L 21/30 569 F

Fターム (12件)：

2H096AA25 , 2H096GA60 , 2H096HA01 , 5F046JA01 , 5F046JA13 , 5F046JA21 , 5F046JA24 , 5F046JA27 , 5F046KA10 , 5F046LA03 , 5F046LA14 , 5F046LA19

引用特許：

出願人引用 (1件)

レジスト塗布現像装置とレジスト塗布現像方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-019297 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (5件)

半導体露光方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-159933 出願人：日本電気株式会社, 広島日本電気株式会社
露光装置、露光方法、及び記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-011874 出願人：株式会社ニコン
測定値検定方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-302681 出願人：ソニー株式会社

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