特許
J-GLOBAL ID：200903067552986086

半導体光増幅器および光集積回路

発明者：
田中 信介

田中 信介 について

, 
森戸 健

森戸 健 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-252277
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067222
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 広帯域の利得スペクトルを有する半導体光増幅器、およびこれを用いた光集積回路を提供する。【解決手段】 InP基板11上に量子井戸構造の活性層14を、障壁層14bとして引張歪みを有するInGaAs膜、井戸層14wとして圧縮歪みを有するInGaAs膜を用いて構成する。井戸層14wのバンドギャップを狭くして、井戸層14wの電子の量子準位と障壁層14bの伝導帯の下端との実効的障壁高さΔEcを十分に確保する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
InP基板と、 前記InP基板上に形成された活性層と、を備え、 前記活性層は、障壁層と井戸層とが交互に積層された量子井戸構造を有し、 前記障壁層が引張歪みを有するInGaAs膜からなり、前記井戸層が圧縮歪みを有するInGaAs膜からなる半導体光増幅器。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/026
FI (2件)：
H01S5/343 ,  H01S5/026 610
Fターム (14件)：
5F173AA26 ,  5F173AD02 ,  5F173AD19 ,  5F173AF05 ,  5F173AF15 ,  5F173AG22 ,  5F173AG24 ,  5F173AH02 ,  5F173AH47 ,  5F173AP05 ,  5F173AP78 ,  5F173AR26 ,  5F173AR45 ,  5F173AS01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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