特許

J-GLOBAL ID：200903067583742878

フラックスレスはんだ付け用処理方法

発明者： 増田 二紀 ,  繁田 進 ,  古野 雅彦 ,  大倉 末代史 ,  富田 喜之
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206323
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055581
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 地球環境保護を考慮した上で、良好なはんだ接合が可能であり、電気的信頼性が高い電子機器基板の生産が安価に生産できる、フラックスレスはんだ付け用処理方法を提供する。【解決手段】 金属表面間をはんだ接合するに当り、酸素と弗素または弗素化合物との混合ガスのプラズマによる第1処理工程により、金属表面の有機物や酸化物等のはんだ接合を阻害する物質を除去するとともに弗化物含有層を形成する。水素と臭素または臭素化合物との混合ガスのプラズマによる第2処理工程により、還元作用を行うとともに臭化物含有層を形成する。このようにして金属表面のプラズマ処理による表面改質後に、溶融はんだを接合部位に供給して金属表面間をはんだ付けする。

請求項（抜粋）：

金属表面間をはんだ接合するに当り、プラズマにより金属表面のはんだ接合を阻害する物質を除去するとともに、金属表面に弗素および臭素の少なくとも一方を含有する層を形成することを特徴とするフラックスレスはんだ付け用処理方法。

IPC (5件)：

H05K 3/34 501 ,  B23K 1/20 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C23G 5/00

FI (8件)：

H05K 3/34 501 Z ,  B23K 1/20 H ,  B23K 1/20 K ,  B23K 1/20 C ,  B23K 1/20 D ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  C23G 5/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-110726
  
• 異方性プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-251522   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-105202   出願人：株式会社高純度化学研究所
• 金属の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324959   出願人：山口秀明
• 特開昭63-110726