特許
J-GLOBAL ID：200903067596993730
III-V族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法、III-V族窒化物系半導体基板の製造方法、III-V族窒化物系半導体基板のロット
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-383711
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150287
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】デバイス特性に優れ、生産性の良いIII-V族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法、並びに、それに用いられるIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法、III-V族窒化物系半導体基板のロットを提供する。【解決手段】チップ形状をなしていると共に、III-V族窒化物系半導体の基板上に、デバイス構造のエピタキシャル層を有し、該エピタキシャル層の少なくとも一組の平行な側面が劈開面であるIII-V族窒化物系半導体デバイスにおいて、前記基板は、基板表面に最も近い結晶面である低指数面が、基板表面に対して傾いてオフが付いていると共に、前記低指数面の傾きの方向であるオフ方向が、当該基板の等価な劈開面の内の1つの面と平行となっており、前記エピタキシャル層の劈開面は、前記基板のオフ方向と平行な前記基板の劈開面と同一面にある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チップ形状をなしていると共に、III-V族窒化物系半導体の基板上に、デバイス構造のエピタキシャル層を有し、該エピタキシャル層の少なくとも一組の平行な側面が劈開面であるIII-V族窒化物系半導体デバイスにおいて、
前記基板は、基板表面に最も近い結晶面である低指数面が、基板表面に対して傾いてオフが付いていると共に、前記低指数面の傾きの方向であるオフ方向が、当該基板の等価な劈開面の内の1つの面と平行となっており、
前記エピタキシャル層の劈開面は、前記基板のオフ方向と平行な前記基板の劈開面と同一面にあることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F073CA02
, 5F073CB01
, 5F073DA32
