特許

J-GLOBAL ID：200903067616148667

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 水原 秀樹 ,  渡辺 裕之 ,  実沢 佳居 ,  平瀬 征基 ,  青江 弘行 ,  井上 恭典 ,  斉藤 公英 ,  石原 宏康
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063405
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312286
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 耐湿性及び平坦性に優れたパッシベーション膜を得て、半導体装置としての信頼性を高めること。【解決手段】 Si基板1上に形成したソース・ドレイン電極10の上に、シリコン酸化膜12を形成し、その上に平坦性の良好な有機SOG膜13を形成した後、このSOG膜13にアルゴンイオンを注入して膜中の有機成分を分解させる。こうすることにより、SOG膜が改質されて、膜中に含まれる水分や水酸基が減少しかつSOG膜が吸水しにくくなり、耐湿性及び平坦性に優れたパッシベーション膜16を得ることができる。

請求項（抜粋）：

パッシベーション膜が、不純物を含有した第1の絶縁膜のみからなることを特徴とした半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/314 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/314 M ,  H01L 29/78 301 N

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平2-233531
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-039637   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-232724   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-179996   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭62-250646
  
• 特開平1-183126
  
• 特開平2-222538
  
• 特開昭63-115345