特許
J-GLOBAL ID：200903067730687888

半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム

発明者：
八木 真一郎

八木 真一郎 について

, 
山田 透

山田 透 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053677
公開番号（公開出願番号）：特開2003-254741
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体エピタキシャルウェーハの測定において、サイト平坦度をはじめとする単結晶薄膜のサイト別の評価情報を、従来の3次元形状測定による手法よりもはるかに簡便に測定でき、例えばサイト平坦度と単結晶薄膜の膜厚分布との関係を互いに関連付けて把握できる方法を提供する。【解決手段】 半導体単結晶薄膜の薄膜主表面の全面に渡って複数の膜厚測定点211を定め、個々の膜厚測定点211において半導体単結晶薄膜の膜厚をFT-IR等により測定する。次に、薄膜主表面を、各々複数の膜厚測定点を包含する複数のサイト221に区画し、それらサイト221毎に、当該サイトに含まれる膜厚測定点の膜厚測定値に基づき、個々のサイト221に固有の半導体単結晶薄膜の評価情報222,223を作成し、サイトマップの形で出力する。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板の主表面をベース面として、該ベース面上に半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させた半導体エピタキシャルウェーハの測定方法であって、前記半導体単結晶薄膜の薄膜主表面の全面に渡って複数の膜厚測定点を定め、個々の膜厚測定点において前記半導体単結晶薄膜の膜厚を測定する膜厚測定工程と、前記薄膜主表面を、各々複数の膜厚測定点を包含する複数のサイトに区画し、それらサイト毎に、当該サイトに含まれる膜厚測定点の膜厚測定値に基づき、個々のサイトに固有の半導体単結晶薄膜の評価情報であるサイト別薄膜評価情報を作成するサイト別薄膜評価情報作成工程と、作成された前記サイト別薄膜評価情報を出力するサイト別薄膜評価情報出力工程と、を含むことを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの測定方法。
IPC (4件)：
G01B 21/08 ,  G01B 21/30 101 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
G01B 21/08 ,  G01B 21/30 101 F ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/205
Fターム (29件)：
2F069AA47 ,  2F069AA54 ,  2F069BB15 ,  2F069DD15 ,  2F069DD25 ,  2F069GG04 ,  2F069GG07 ,  2F069HH30 ,  2F069JJ19 ,  2F069NN07 ,  2F069NN09 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  4M106DH03 ,  4M106DH13 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ32 ,  5F045AB02 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045GB13 ,  5F045GB16 ,  5F045GB17
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM