特許
J-GLOBAL ID：200903067785802716

オーミック電極の形成方法

発明者：
木村 徳治

木村 徳治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283295
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119821
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】均一性の良い合金からなる低抵抗なオーミック電極を形成する。【解決手段】オーミック電極として用いる複数種の金属を選定し(ステップS1)、それらの金属で形成する合金を特定する(ステップS2)。この特定した合金の組成比またはその組成比に近似した比に、アニール前に積層する金属の原子数比を設定し(ステップS3)、その原子数比となるような膜厚比で各金属を積層形成する(ステップS4)。次いで、アニールを行い(ステップS5)、積層した金属を合金化する。これにより、均一性の良い合金を形成することができ、低抵抗なオーミック電極を形成することが可能になる。さらに、その合金の形成に最適なアニール温度を設定することができるので、半導体プロセスの効率化や歩留まりの向上を図れる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体層上に積層した複数種の金属をアニールによって合金化することによって形成され、半導体装置の電極として用いられるオーミック電極の形成方法において、 アニール前に積層する前記複数種の金属の原子数比を、アニール後に前記複数種の金属から形成する合金の組成比またはそれに近似する比に設定し、 前記複数種の金属を前記原子数比となる膜厚比で前記半導体層上に積層して形成し、 前記合金を形成可能な温度でアニールする、 ことを特徴とするオーミック電極の形成方法。
IPC (5件)：
H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (5件)：
H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/50 J
Fターム (17件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104GG12 ,  4M104HH16 ,  5F102FA03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開昭64-020616
  • 電極形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-127566   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196749   出願人：日本電気株式会社
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