特許
J-GLOBAL ID：200903067817187075

導電膜の形成方法及び電子機器

発明者：
轟原 正義

轟原 正義 について

, 
尼子 淳

尼子 淳 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-281919
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100381
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 本発明は、より抵抗率の低い導電膜を形成するための改良技術を提供することを目的とする。 【解決手段】 溶媒中に分散された導電材料を含む液滴を被着面上に吐出することにより膜パターンを形成する導電膜の形成方法であって、溶媒中に分散された導電材料を含む液滴を被着面上に吐出する液滴吐出工程と、当該被着面上の前記液滴の略全面にレーザ光で照射することにより、当該導電材料を焼結する焼結工程とを含む導電膜の形成方法により上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
溶媒中に分散された導電材料を含む液滴を被着面上に吐出することにより膜パターンを形成する導電膜の形成方法であって、 溶媒中に分散された導電材料を含む液滴を被着面上に吐出する液滴吐出工程と、 前記被着面上の前記液滴の略全面にレーザ光で照射することにより、前記導電材料を焼結する焼結工程と、 を含むことを特徴とする導電膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/288
FI (2件)：
H01L21/88 B ,  H01L21/288 Z
Fターム (18件)：
4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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