半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-198666
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050634
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】金属シリサイドからなる金属配線を有する半導体装置を製造する際、多結晶シリコン膜の粒界が大きいため、多結晶シリコン膜上に形成する金属シリサイド膜の表面が均一にならないという問題があった。また、アモルファスシリコン膜と高融点金属膜を反応させて金属シリサイドを形成する際の発生する応力のため、金属シリサイド膜が凝集するという問題が生じた。【解決手段】半導体基板上にアモルファスシリコン膜103を堆積し、アモルファスシリコン膜103上に化学酸化膜104を形成し、アモルファスシリコン膜103を熱処理して多結晶シリコン膜105にした後、多結晶シリコン膜105上に高融点金属膜としてチタン膜106を堆積、熱処理することによってチタンシリサイド膜107を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、該アモルファスシリコン膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜を第1の熱処理により多結晶シリコン膜にする工程と、前記絶縁膜を除去する工程と、前記多結晶シリコン膜上に高融点金属膜を堆積する工程と、第2の熱処理により前記多結晶シリコン膜と前記高融点金属膜とを反応させて、金属シリサイド膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-143866 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平4-245442
特開平4-245442

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