特許
J-GLOBAL ID：200903067854154853

積層型半導体装置およびその製造方法

発明者：
石川 和弘

石川 和弘 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102279
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294723
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 積層型半導体装置の構造では、急激な半導体素子の温度上昇により半導体素子が破壊し、その積層型半導体装置が動作しなくなるといった不具合が発生する。【解決手段】 フリップチップ実装構造の2つの半導体装置をその互いの半導体素子1,5の裏面どうしを合わせて、放熱性接着剤15を介して積層化して接合し、また上側の半導体キャリア基板8bの裏面に放熱用の金属製プレート板18を設けることにより、実装面積を低減し、かつ放熱特性を向上させた積層型半導体装置が得られる。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の半導体装置と第2の半導体装置とよりなり、互いの半導体装置どうしを放熱性接着剤を介して積層化して接合した積層型半導体装置であって、前記第1の半導体装置上に第2の半導体装置が積層され、前記第1の半導体装置と第2の半導体装置とが電気的に接続され、前記第2の半導体装置上に放熱用の金属製プレート板が設けられ、前記金属製プレート板が露出するように、前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置との外囲を封止樹脂で封止したことを特徴とする積層型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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