特許

J-GLOBAL ID：200903067885344286

CMP用水系分散液、研磨方法、および半導体装置の製造方法

発明者： 南幅 学 ,  倉嶋 延行 ,  福島 大 ,  松井 之輝 ,  山本 進 ,  矢野 博之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-348154
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157841
出願日： 2005年12月01日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】 膜はがれやディッシングを引き起こすことなく、十分な研磨力で被処理膜を研磨し得るCMP用水系分散液を提供する。【解決手段】 樹脂粒子と水とを含有するCMP用水系分散液である。前記樹脂粒子は、曲率半径が10nm以上1.65μm以下の凸部を表面に有し、前記樹脂粒子の最長長さは、前記曲率半径の2.5倍以上25倍以下、かつ5μm以下であることを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

樹脂粒子と水とを含有し、 前記樹脂粒子は、曲率半径が10nm以上1.65μm以下の凸部を表面に有し、前記樹脂粒子の最長長さは、前記曲率半径の2.5倍以上25倍以下、かつ5μm以下であることを特徴とするCMP用水系分散液。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置製造用研磨剤及び該研磨剤の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-077058   出願人：住友化学工業株式会社
• スラリー、CMP法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-187027   出願人：株式会社東芝, ジェイエスアール株式会社

審査官引用 (2件)

• 研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-318707   出願人：花王株式会社
• CMP用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-326085   出願人：株式会社東芝