半導体レーザ装置及び半導体レーザの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317885
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150326
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】電流-光出力特性が良好で、かつ低消費電力の半導体レーザを製造する。【解決手段】半導体レーザの製造方法において、コンタクト層の表面に拡散制御層を設ける工程と、該拡散制御層を通して不純物の拡散を行う工程と、該拡散制御層をエッチオフする工程とを有する半導体レーザの製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ装置に於て、コンタクト層の表面領域には、少なくとも1×1019cm-3の不純物が存在しており、埋め込み層の下層部を構成するクラッド層には、当該不純物が存在しない様に構成されている事を特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

全件表示

前のページに戻る