特許
J-GLOBAL ID：200903067969675687

半導体装置およびその製造方法

発明者：
根本 道生

根本 道生 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-296371
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064429
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】逆回復時のdV/dtの増加を抑制し、逆回復時の波形振動を抑制し、高速・低損失特性とソフトリカバリー特性両者を同時に向上する半導体装置をFZバルクウエーハを用いて安価に提供する。【解決手段】N型不純物であるリンを含有するFZウエーハの一方の主面及び他方の主面から、前記リンの濃度よりも低い濃度となるように、ボロンよりも拡散係数の大きいP型不純物である、例えばアルミニウム、ガリウム、インジウム及び亜鉛の少なくとも1つを1200°C以下の温度で拡散させて、N-ドリフト層の濃度を補償させることで、ネットドーピング濃度がリン濃度よりも少なくなるように形成する。これにより、FZウエーハを用いて容易に基板の中央付近に不純物濃度のピークを有し、基板の両主面に緩やかに不純物濃度が減少する構造を形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の厚さ方向に一様な不純物濃度を有する第1導電型の半導体基板に、前記不純物濃度よりも低濃度の第2導電型の不純物を拡散で半導体基板の一方の主面および他方の主面の少なくとも一方から導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78
FI (7件)：
H01L29/91 A ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/322 L ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 658A
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)
  • MOSゲートパワーデバイス及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-294062   出願人：コンソルツィオペルラリセルカスーラマイクロエレットロニカネルメッツォジオルノ, エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ

前のページに戻る

TOP

BOTTOM