特許

J-GLOBAL ID：200903068043055100

高周波集積回路及び半導体装置

発明者： 梅田 俊之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043869
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 本発明は高周波で信号を入出力する携帯電話機中に搭載された電力増幅器、低雑音増幅器等の高周波集積回路が実装の形態に関わらず高利得、高効率を得る方式を提供する。【解決手段】 半導体基板102上に設けられ、かつ、入力信号を増幅し、増幅した入力信号を出力する信号増幅回路110と、前記半導体基板上に設けられ、かつ、前記信号増幅回路の接地電極と配線のみで接続された第1接地端子113と、前記半導体基板上に設けられ、かつ、容量結合回路115を介して前記信号増幅回路の接地電極と接続された第2接地端子114を備える高周波集積回路。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられ、かつ、入力信号を増幅し、増幅した入力信号を出力する信号増幅回路と、前記半導体基板上に設けられ、かつ、前記信号増幅回路の接地電極と配線のみで接続された第1接地端子と、前記半導体基板上に設けられ、かつ、容量結合回路を介して前記信号増幅回路の接地電極と接続された第2接地端子を備える高周波集積回路。

IPC (4件)：

H03F 3/195 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03F 1/02

FI (5件)：

H03F 3/195 ,  H03F 1/02 ,  H01L 27/04 F ,  H01L 27/04 E ,  H01L 27/04 C

Fターム (31件)：

5F038AC01 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC12 ,  5F038AC15 ,  5F038AV04 ,  5F038AZ06 ,  5F038BE07 ,  5F038BE09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038DF01 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20 ,  5J092AA01 ,  5J092CA36 ,  5J092FA16 ,  5J092HA06 ,  5J092HA11 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092HA33 ,  5J092QA02 ,  5J092QA03 ,  5J092QA04 ,  5J092SA13 ,  5J092TA01 ,  5J092TA02 ,  5J092TA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 高周波半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-066792   出願人：富士通株式会社
• 半導体スイッチ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-185556   出願人：新日本無線株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-217440   出願人：三菱電機株式会社, 協栄産業株式会社
• 特開平4-318396