特許
J-GLOBAL ID：200903034963422315

Si基板誘電体薄膜構造

発明者：
川崎 雅司

川崎 雅司 について

, 
鯉沼 秀臣

鯉沼 秀臣 について


出願人/特許権者：
新技術事業団

新技術事業団 について


代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195829
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064780
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【構成】 Si基板上に誘電体薄膜を配設した構造であって、Si基板表面上には下部層もしくは中間層としてTiN層が介在されている。また、このTiN層がTiO2 層に変化された構造。【効果】 結晶性が良く、誘電率が向上する他、強誘電体膜の作成も可能となる。DRAMのキャパシターの小型化や強誘電体膜の電荷保持を利用したFRAM(不揮発性メモリーの一種)の作製等に有用なものとなる。
請求項（抜粋）：
Si基板上に誘電体薄膜を配設した構造であって、Si基板表面上には下部層もしくは中間層としてTiN層が介在されていることを特徴とするSi基板誘電体薄膜構造。
IPC (8件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 27/10 651 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (7件)
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