特許
J-GLOBAL ID:200903068078652488
二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-236064
公開番号(公開出願番号):特開2003-073820
出願日: 2002年08月13日
公開日(公表日): 2003年03月12日
要約:
【要約】【課題】 二酸化チタンからなるスパッタリングターゲットを、直流電圧スパッタリングに適している、即ち比電気抵抗が5Ωcm未満である(が、しかし、好ましくは1Ωcm未満である)ように製造し、その際スパッタリングターゲットは、特に安価である、簡単で処理技術的に容易に操作することができる方法によって、大きな断片数で製造されることができなければならない。【解決手段】 5Ωcm未満の比電気抵抗を有する二酸化チタン(TiO2)からなる導電性スパッタターゲットを製造する方法の場合に、二酸化チタンからなる出発物質をドーピング剤またはドーピング剤混合物と混合し、その後に冷間圧縮し、引続き焼結させる。
請求項(抜粋):
5Ωcm未満の比電気抵抗を有する二酸化チタン(TiO2)からなる導電性スパッタターゲットにおいて、TiO2からなるターゲット物質に酸化インジウム(In2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ガリウム(Ga2O3)、酸化アンチモン(Sb2O3)または酸化ジルコニウム(ZrO2)の群からの少なくとも1つのドーピング剤またはドーピング剤混合物が5モル%未満の割合で混合されていることを特徴とする、二酸化チタン(TiO2)からなる導電性スパッタターゲット。
IPC (4件):
C23C 14/34
, C04B 35/46
, B01J 35/02
, B01J 37/02 301
FI (4件):
C23C 14/34 A
, C04B 35/46 Z
, B01J 35/02 J
, B01J 37/02 301 P
Fターム (38件):
4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA26
, 4G031AA27
, 4G031AA29
, 4G031AA34
, 4G031AA35
, 4G031BA02
, 4G031BA27
, 4G031GA06
, 4G069AA08
, 4G069BA01A
, 4G069BA01B
, 4G069BA04A
, 4G069BA04B
, 4G069BA05A
, 4G069BA05B
, 4G069BA48A
, 4G069BB04A
, 4G069BB04B
, 4G069BC17A
, 4G069BC17B
, 4G069BC18A
, 4G069BC18B
, 4G069BC25A
, 4G069BC25B
, 4G069BC26A
, 4G069BC26B
, 4G069BC35A
, 4G069BC35B
, 4G069DA06
, 4G069FA01
, 4G069FA03
, 4G069FB02
, 4G069FC08
, 4K029BA48
, 4K029DC05
, 4K029DC09
引用特許: