特許

J-GLOBAL ID：200903068083215274

薄膜及びp型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス

発明者： 川崎 雅司 ,  大友 明 ,  福村 知昭 ,  塚▲崎▼ 敦 ,  大谷 亮
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (7件)： 杉村 興作 ,  高見 和明 ,  徳永 博 ,  岩佐 義幸 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  冨田 和幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-031194
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223219
出願日： 2004年02月06日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】高い結晶性及び表面平坦性を実現すると共に、高濃度でドーパントをドーピングすることができる薄膜製造方法を提供する。【解決手段】所定の第1温度において薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、薄膜の成長を中断し前記第1温度より高い所定の第2温度において薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、前記第2温度において薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

薄膜製造方法であって、 所定の第1温度において薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、 薄膜の成長を中断し前記第1温度より高い所定の第2温度において薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、 前記第2温度において薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含むことを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 D

Fターム (7件)：

5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA67

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-278043   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, ローム株式会社
• 半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-302247   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司