特許
J-GLOBAL ID:200903068108852347

多孔質層及びデバイス、並びにその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平木 祐輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-194859
公開番号(公開出願番号):特開2003-011099
出願日: 2001年06月27日
公開日(公表日): 2003年01月15日
要約:
【要約】【課題】 ナノ構造からなる細孔を有し、細孔密度を簡便、且つ、低コストに制御し、細孔制御の大面積化を可能にした多孔質層及びその製造方法を提供する。【解決手段】 多孔質層は第1の細孔群3、第2の細孔群4の2つの異なる細孔構造から構成され、一部の第1の細孔群3と第2の細孔群4とが連続性を有する。多孔質層の製造に当たっては、多段階陽極酸化法を用いる。具体的には、陽極酸化するための化成電圧を変化させる。
請求項(抜粋):
複数の細孔から構成される多孔質層であって、第1の表面に開口を有し、ある深さで終端する第1の細孔群と、前記第1の細孔群の一部と深さ方向に連続し、少なくとも第1の細孔群とは孔径の異なる第2の細孔群とを備えたことを特徴とする多孔質層。
IPC (6件):
B82B 3/00 ,  C25D 11/04 101 ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/04 303 ,  H01L 29/06 601 ,  C01B 31/02 101
FI (6件):
B82B 3/00 ,  C25D 11/04 101 A ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/04 303 ,  H01L 29/06 601 N ,  C01B 31/02 101 F
Fターム (3件):
4G046CB01 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06
引用特許:
審査官引用 (9件)
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