半導体装置作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319167
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211635
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、触媒元素の導入量を精密に制御する。【構成】ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上にレジストマスク21を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行なうことにより、結晶性珪素膜を得る。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜表面にレジストでマスクを形成する工程と、露呈した非晶質珪素膜に接して結晶化を助長する触媒元素を含む化合物を保持させる工程と、レジストマスクを除去する工程と、加熱処理を施す工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-280420
特開昭62-060220
洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-345911 出願人：株式会社日立製作所

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