特許

J-GLOBAL ID：200903068172886875

マスク体

発明者： 豊崎 孝一 ,  倉橋 暢彦 ,  築地 直樹 ,  入野 聡
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-011582
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197610
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 被エッチング材の端部近傍で発生する、エッチング工程時におけるマスク体の剥離現象を防止するマスク体を提供する。【解決手段】 被エッチング材の表面1aに形成され、複数本の線状マスク22bが集合して成るマスク体22aであって、被エッチング材の端部近傍1Aに位置する線状マスク22bの箇所が、他の箇所との対比で広幅部22cとなっており、必要に応じて更に、線状マスクの中央部も広幅部となっている。

請求項（抜粋）：

被エッチング材の表面に形成され、線状マスクが集合して成るマスク体において、前記マスク体の端部近傍の箇所、または、前記被エッチング材の端部近傍に位置する前記線状マスクの箇所の平面視形状が、他の箇所との対比で広幅部になっていることを特徴とするマスク体。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01S 5/12

FI (2件)：

H01S 5/12 ,  H01L 21/302 J

Fターム (6件)：

5F004EA01 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F073AA64 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フォトマスクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-031046   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 日立北海セミコンダクタ株式会社
• 半導体光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-036028   出願人：株式会社日立製作所
• フォトマスク及びフォトレジストパターンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230680   出願人：日本電気株式会社