特許
J-GLOBAL ID：200903068190806455

半導体装置及びその製造方法

発明者：
鈴木 寿哉

鈴木 寿哉 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-020518
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224206
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 貴金属電極を用いたキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法に関し、キャパシタ特性を劣化することなくトランジスタの特性を向上しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に形成されたトランジスタと、トランジスタに電気的に接続されたキャパシタとを有する半導体装置であって、トランジスタとキャパシタとの間に形成された水素供給膜44と、水素供給膜44とキャパシタとの間に形成された水素拡散防止膜45とを有する。これにより、キャパシタ特性の劣化を防止しつつ、トランジスタの特性向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続されたキャパシタとを有する半導体装置であって、前記トランジスタと前記キャパシタとの間に形成され、水素を含有する第1の膜と、前記第1の膜と前記キャパシタとの間に形成され、水素の拡散を防止する第2の膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (2件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C
Fターム (33件)：
5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA19 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR09 ,  5F083PR18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (3件)

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